400高溫四探針雙電組合電阻率測試儀用于：企業、高等院校、科研部門對導電陶瓷、硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率、測定硅外延層、擴散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導電玻璃（ITO）和其它導電薄膜等新材料方塊電阻、電阻率和電導率數據. 雙電測四探針儀是運用直線四探針雙位測量。設計參照單晶硅物理測試方法并參考美國 A.S.T.M 標準。
600高溫四探針雙電組合電阻率測試儀用于：企業、高等院校、科研部門對導電陶瓷、硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率、測定硅外延層、擴散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導電玻璃（ITO）和其它導電薄膜等新材料方塊電阻、電阻率和電導率數據. 雙電測四探針儀是運用直線四探針雙位測量。設計參照單晶硅物理測試方法并參考美國 A.S.T.M 標準。
800高溫四探針雙電組合電阻率測試儀用于：企業、高等院校、科研部門對導電陶瓷、硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率、測定硅外延層、擴散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導電玻璃（ITO）和其它導電薄膜等新材料方塊電阻、電阻率和電導率數據. 雙電測四探針儀是運用直線四探針雙位測量。設計參照單晶硅物理測試方法并參考美國 A.S.T.M 標準。
1000高溫四探針雙電組合電阻率測試儀用于：企業、高等院校、科研部門對導電陶瓷、硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率、測定硅外延層、擴散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導電玻璃（ITO）和其它導電薄膜等新材料方塊電阻、電阻率和電導率數據. 雙電測四探針儀是運用直線四探針雙位測量。設計參照單晶硅物理測試方法并參考美國 A.S.T.M 標準。
1200高溫四探針雙電組合電阻率測試儀用于：企業、高等院校、科研部門對導電陶瓷、硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率、測定硅外延層、擴散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導電玻璃（ITO）和其它導電薄膜等新材料方塊電阻、電阻率和電導率數據. 雙電測四探針儀是運用直線四探針雙位測量。設計參照單晶硅物理測試方法并參考美國 A.S.T.M 標準。
